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| 文档 |
Multiple Devices 08/Apr/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 08/Apr/2011 |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.7A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 185 mOhm @ 2.4A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 14.3nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 492pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | SOT-223 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 185@10V |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SOT-223 |
| 最大功率耗散 | 2300 |
| 最大连续漏极电流 | 2.6 |
| 引脚数 | 4 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.7A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 185 mOhm @ 2.4A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 492pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14.3nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 2.6 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 185 mOhms |
| 功率耗散 | 2.3 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 上升时间 | 7.6 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | - 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 38 ns |
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